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SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

compliant

SI7460DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.92818 -
6,000 $0.89597 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN3069L-13
DMN3069L-13
$0 $/pedaço
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3
RD3P175SNTL1
RD3P175SNTL1
$0 $/pedaço
RRH090P03GZETB
IRLR7843TRLPBF
DMP3130LQ-7
DMP3130LQ-7
$0 $/pedaço
NTTFS4939NTAG
NTTFS4939NTAG
$0 $/pedaço
SI4403DDY-T1-GE3

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