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SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

não conforme

SI7456DP-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.88586 -
6,000 $0.85512 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN6040SVTQ-7
IRF9530PBF-BE3
IRF9530PBF-BE3
$0 $/pedaço
BSP295L6327
HUF76609D3
FDZ493P
FDZ493P
$0 $/pedaço
BUK965R8-100E,118
CSD16342Q5A
CSD16342Q5A
$0 $/pedaço
SIHD14N60E-BE3
SIHD14N60E-BE3
$0 $/pedaço
APT60M75L2FLLG

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