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SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

não conforme

SI7230DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.68880 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

FDFMA2P853
IXTH36P15P
IXTH36P15P
$0 $/pedaço
IRF530A
IRF530A
$0 $/pedaço
NVD4804NT4G
NVD4804NT4G
$0 $/pedaço
BUK724R5-30C118
BUK724R5-30C118
$0 $/pedaço
IRF710PBF
IRF710PBF
$0 $/pedaço
5HN01M-TL-E-SA
5HN01M-TL-E-SA
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TN5325N3-G
TN5325N3-G
$0 $/pedaço

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