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SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

SOT-23

não conforme

SI7178DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.26451 -
6,000 $1.22063 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2870 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

RRH050P03GZETB
EPC2034C
EPC2034C
$0 $/pedaço
NTMFS015N10MCLT1G
NTMFS015N10MCLT1G
$0 $/pedaço
HUF76639S3ST
HUF76639S3ST
$0 $/pedaço
PMV62XN215
PMV62XN215
$0 $/pedaço

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