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SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

SOT-23

não conforme

SI7115DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.05498 -
6,000 $1.01837 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 295mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IPN95R2K0P7ATMA1
SI2399DS-T1-GE3
SQS411ENW-T1_GE3
HUF75339P3
HUF75339P3
$0 $/pedaço
BUK9M14-40EX
BUK9M14-40EX
$0 $/pedaço
DMT67M8LK3-13
IXTA36P15P
IXTA36P15P
$0 $/pedaço
RM50N60T2
RM50N60T2
$0 $/pedaço
G3R160MT17D

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