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SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

não conforme

SI7110DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.10950 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SI2392ADS-T1-GE3
STL4N80K5
STL4N80K5
$0 $/pedaço
FBG10N05AC
FBG10N05AC
$0 $/pedaço
STW57N65M5-4
STW57N65M5-4
$0 $/pedaço
IXFH150N15P
IXFH150N15P
$0 $/pedaço
STD155N3H6
STD155N3H6
$0 $/pedaço
IRLZ44NPBF
BUK968R3-40E,118
BUK968R3-40E,118
$0 $/pedaço

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