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SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

compliant

SI6410DQ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Número da peça relacionada

SI4410BDY-T1-E3
IRF1405SPBF
SI7411DN-T1-GE3
DMPH6050SK3Q-13
STP8NM50FP
STP8NM50FP
$0 $/pedaço
IPP147N03L G
IRFZ46ZSPBF
IXTY2N60P
IXTY2N60P
$0 $/pedaço

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