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SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

compliant

SI5920DC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 8V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A
rds em (máx.) @ id, vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680pF @ 4V
potência - máx. 3.12W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF7504TRPBF
NTZD3155CT1H
NTZD3155CT1H
$0 $/pedaço
MP6K11TCR
MP6K11TCR
$0 $/pedaço
EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR
$0 $/pedaço
EFC6601R-A-TR
EFC6601R-A-TR
$0 $/pedaço
SI7964DP-T1-GE3

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