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SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5908DC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
6000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.4A
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

CSD88599Q5DC
CSD88599Q5DC
$0 $/pedaço
MCH6604-TL-E
MCH6604-TL-E
$0 $/pedaço
FDY2000PZ
DMN3055LFDBQ-13
UM6K31NFHATCN
PHKD13N03LT,518
PHKD13N03LT,518
$0 $/pedaço

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