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SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

não conforme

SI5908DC-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
1084 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.4A
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

MCCD2004-TP
MCCD2004-TP
$0 $/pedaço
FDS3601
FDS3601
$0 $/pedaço
NTZD3152PT1H
NTZD3152PT1H
$0 $/pedaço
CSD87313DMS
CSD87313DMS
$0 $/pedaço
SIA906EDJ-T1-GE3
RM2020ES9
RM2020ES9
$0 $/pedaço

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