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SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

compliant

SI5902BDC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
2094 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220pF @ 15V
potência - máx. 3.12W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

DMP2004DMK-7
DMNH6065SSD-13
HS8K11TB
HS8K11TB
$0 $/pedaço
IPA126N10N3G
SI7220DN-T1-E3
SI7220DN-T1-E3
$0 $/pedaço
FDG6320C
FDG6320C
$0 $/pedaço
FQB12N50TM
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3
$0 $/pedaço

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