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SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

compliant

SI5511DC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A, 3.6A
rds em (máx.) @ id, vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.1nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 435pF @ 15V
potência - máx. 3.1W, 2.6W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

HUF76407DK8T
HUF76407DK8T
$0 $/pedaço
SI4226DY-T1-E3
SI4226DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF5851
IRF5851
$0 $/pedaço
SQJ941EP-T1-GE3
FDS6911
FDS6911
$0 $/pedaço
FDS8958
FDS8958
$0 $/pedaço
FDW2521C
SI7214DN-T1-E3
SI7214DN-T1-E3
$0 $/pedaço

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