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SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

compliant

SI5509DC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A, 4.8A
rds em (máx.) @ id, vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.6nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 455pF @ 10V
potência - máx. 4.5W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

NTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G
$0 $/pedaço
SIZ914DT-T1-GE3
SH8K15TB1
SH8K15TB1
$0 $/pedaço
IRF9952PBF
SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB
$0 $/pedaço
MP6K31TCR
MP6K31TCR
$0 $/pedaço
SQ4946AEY-T1_BE3
IRF9952
IRF9952
$0 $/pedaço
SI9955DY
SI9955DY
$0 $/pedaço

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