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SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

compliant

SI5509DC-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A, 4.8A
rds em (máx.) @ id, vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.6nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 455pF @ 10V
potência - máx. 4.5W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
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Número da peça relacionada

SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3
$0 $/pedaço
SQ9945AEY-T1-E3
IRF7325TRPBF
IPI60R165CP
PMWD20XN,118
PMWD20XN,118
$0 $/pedaço
EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT
$0 $/pedaço
SI4501ADY-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3
SI3948DV-T1-GE3

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