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SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

não conforme

SI5441BDC-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 1206-8 ChipFET™
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
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Número da peça relacionada

DMT15H053SSS-13
BSS138-7-F
BSS138-7-F
$0 $/pedaço
AUIRFR6215
RSD201N10TL
RSD201N10TL
$0 $/pedaço
RJP020N06T100
FDMC012N03
FDMC012N03
$0 $/pedaço
HUF76107D3S
NTD60N03T4
NTD60N03T4
$0 $/pedaço

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