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SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

não conforme

SI4943BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A
rds em (máx.) @ id, vgs 19mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SI6973DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/pedaço
2N7002KDWA-TP
SIA922EDJ-T1-GE3

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