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SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

não conforme

SI4931DY-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
12,500 $0.44064 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 12V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.7A
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 350µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

DMN2053UFDB-13
DMN2016LHAB-7
FDZ2553N
FW257-TL-E-ON
FW257-TL-E-ON
$0 $/pedaço
BSO615NGXUMA1
SI7922DN-T1-GE3
SPA20N60CFD
NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G
$0 $/pedaço
NTMFD4C88NT1G
NTMFD4C88NT1G
$0 $/pedaço

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