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SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

não conforme

SI4925BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.81675 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.3A
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

DMN63D8LDW-13
NDS9945
NDS9945
$0 $/pedaço
DMN2053UVT-13
SSD2007ATF
DMG6302UDW-13
DMN1029UFDB-13
ZXMN2A04DN8TA
DMN2053UVT-7

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