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SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

compliant

SI4922BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
5000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A
rds em (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 62nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2070pF @ 15V
potência - máx. 3.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

RF1K4909396
SI4670DY-T1-GE3
AUIRF7379QTR
NVMFD6H846NLT1G
NVMFD6H846NLT1G
$0 $/pedaço
DI048N04PQ2-AQ
IPA50R350CP

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