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SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

não conforme

SI4818DY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.3A, 7A
rds em (máx.) @ id, vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1W, 1.25W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

IRF7103Q
IRF7103Q
$0 $/pedaço
MMDF2N02ER2G
MMDF2N02ER2G
$0 $/pedaço
SI5905BDC-T1-GE3
ZXMD63C02XTC
FDS4895C
SSD2025TF
FDS8958B_G
FDS8958B_G
$0 $/pedaço
2N7002DWA-7
2N7002DWA-7
$0 $/pedaço
IRF7907PBF

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