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SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

compliant

SI4816BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.8A, 8.2A
rds em (máx.) @ id, vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1W, 1.25W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

DMN3401LDWQ-7
NX3020NAKS,115
UT6K3TCR
UT6K3TCR
$0 $/pedaço
LM5100CMY
SFS9630YDTU
FDW2506P
BUK9K6R2-40E,115

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