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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

não conforme

SI4814BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A, 10.5A
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 3.3W, 3.5W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

SI4567DY-T1-GE3
SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF7910PBF
SI1553DL-T1-E3
SI1553DL-T1-E3
$0 $/pedaço
SP8K24FU6TB
SP8K24FU6TB
$0 $/pedaço
DMP2100UCB9-7
NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
$0 $/pedaço

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