Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

não conforme

SI4590DY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.41019 -
5,000 $0.38357 -
12,500 $0.37026 -
25,000 $0.36300 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N and P-Channel
característica fet -
tensão de dreno para fonte (vdss) 100V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.4A, 2.8A
rds em (máx.) @ id, vgs 57mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11.5nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 360pF @ 50V
potência - máx. 2.4W, 3.4W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/pedaço
EPC2221
EPC2221
$0 $/pedaço
MSCSM70AM19CT1AG
DMP2110UFDB-13
RF3S49092SM9A
PMDPB95XNE2X
PMDPB95XNE2X
$0 $/pedaço
NX138AKSF
NX138AKSF
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.