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SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

compliant

SI4485DY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.27120 -
5,000 $0.25360 -
12,500 $0.24480 -
25,000 $0.24000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 590 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

SI3474DV-T1-BE3
PCP1402-TD-H
PCP1402-TD-H
$0 $/pedaço
IRFS830B
STF10N62K3
STF10N62K3
$0 $/pedaço
BUK95180-100A,127
BUK95180-100A,127
$0 $/pedaço
FQB34N20TM-AM002
FQB34N20TM-AM002
$0 $/pedaço
IRFI740GLCPBF
IRFI740GLCPBF
$0 $/pedaço

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