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SI4056DY-T1-GE3

SI4056DY-T1-GE3

SI4056DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO

não conforme

SI4056DY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.38985 -
5,000 $0.36455 -
12,500 $0.35190 -
25,000 $0.34500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

IXFK32N80Q3
IXFK32N80Q3
$0 $/pedaço
MCH6444-TL-H
MCH6444-TL-H
$0 $/pedaço
NTP095N65S3HF
NTP095N65S3HF
$0 $/pedaço
IXFP130N10T
IXFP130N10T
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