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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 20 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 8A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 1.8V, 4.5V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 27.5mOhm @ 7A, 4.5V |
vgs(th) (máx.) @ id | 900mV @ 250µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 43.5 nC @ 5 V |
vgs (máx.) | ±8V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1805 pF @ 10 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | 6-TSOP |
pacote / caixa | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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