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SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

compliant

SI3434DV-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 600mV @ 1mA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.14W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

IRLR3802TRLPBF
AUIRF3808S
IRLR7811WCTRLP
IRF1405ZSTRL-7P
IRF7807D2PBF
IXTH200N085T
IXTH200N085T
$0 $/pedaço
IRFS3207PBF
BUK9611-55A,118
BUK9611-55A,118
$0 $/pedaço

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