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SI2387DS-T1-GE3

SI2387DS-T1-GE3

SI2387DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

SOT-23

não conforme

SI2387DS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.1A (Ta), 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 395 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IRF7204TRPBF
STF17NF25
STF17NF25
$0 $/pedaço
FCD380N60E
FCD380N60E
$0 $/pedaço
IRLB8743PBF
DMG2302UKQ-13
NTP7D3N15MC
NTP7D3N15MC
$0 $/pedaço
ZXMN7A11KTC
ZXMN7A11KTC
$0 $/pedaço
MCH6627-TL-E
MCH6627-TL-E
$0 $/pedaço

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