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SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

compliant

SI2342DS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1070 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

NX138BKWF
NX138BKWF
$0 $/pedaço
FDD5N50FTM-WS
FDD5N50FTM-WS
$0 $/pedaço
DMN3016LK3-13
GPI65005DF
GPI65005DF
$0 $/pedaço
SI7742DP-T1-GE3
CSD25481F4T
CSD25481F4T
$0 $/pedaço
RM2310
RM2310
$0 $/pedaço
IRFR024NTRPBF
RCJ700N20TL
RCJ700N20TL
$0 $/pedaço

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