Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

compliant

SI2333CDS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1225 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

STH250N6F3-6
STH250N6F3-6
$0 $/pedaço
BUZ32HXKSA1
DMNH4011SK3-13
SIHD690N60E-GE3
FDD068AN03L
FDFC2P100
SIHG14N50D-GE3
SIHG14N50D-GE3
$0 $/pedaço
RM2N650IP
RM2N650IP
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.