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SI2318DS-T1-BE3

SI2318DS-T1-BE3

SI2318DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

não conforme

SI2318DS-T1-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 540 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

DMNH6021SK3Q-13
IPP60R160P7XKSA1
ZVN4206GTC
ZVN4206GTC
$0 $/pedaço
AUIRF2804S
BUZ73AH3046
SI8816EDB-T2-E1
SIHA18N60E-GE3
SIHA18N60E-GE3
$0 $/pedaço
FDPF14N30
FDPF14N30
$0 $/pedaço

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