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SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

compliant

SI2318CDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14363 -
6,000 $0.13538 -
15,000 $0.12713 -
30,000 $0.11723 -
75,000 $0.11310 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 340 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

DMT616MLSS-13
IPN50R800CEATMA1
FDA59N25
FDA59N25
$0 $/pedaço
NTMFS5C423NLT3G
NTMFS5C423NLT3G
$0 $/pedaço
IRFR420TRLPBF
IRFR420TRLPBF
$0 $/pedaço
PH8230E,115
PH8230E,115
$0 $/pedaço
FDAF62N28
IXFL38N100P
IXFL38N100P
$0 $/pedaço

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