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SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

não conforme

SI2316BDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G
$0 $/pedaço
FDP55N06
FDP55N06
$0 $/pedaço
R6530KNXC7G
R6530KNXC7G
$0 $/pedaço
AUIRFR8401TRL
NVTFS4C10NTAG
NVTFS4C10NTAG
$0 $/pedaço
PSMN1R3-30YL,115
IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF
$0 $/pedaço
CSD19532Q5BT
CSD19532Q5BT
$0 $/pedaço

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