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SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

SOT-23

não conforme

SI2312CDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.17148 -
6,000 $0.16103 -
15,000 $0.15058 -
30,000 $0.14326 -
75,000 $0.14250 -
8 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 865 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

SIHF10N40D-E3
SIHF10N40D-E3
$0 $/pedaço
IXFN39N90
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$0 $/pedaço
CSD18534Q5AT
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$0 $/pedaço
IRF9610STRRPBF
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$0 $/pedaço
STL10LN80K5
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$0 $/pedaço
DI040P04PT
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$0 $/pedaço
NTMYS8D0N04CTWG
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$0 $/pedaço
G15N06K
G15N06K
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SPI15N60C3

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