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SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

compliant

SI2308BDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.18192 -
6,000 $0.17019 -
15,000 $0.15845 -
30,000 $0.15023 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 156mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 190 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IRF9393TRPBF
HUF75639S3
HUF75639S3
$0 $/pedaço
SQJ186EP-T1_GE3
IXFR15N100Q3
IXFR15N100Q3
$0 $/pedaço
DMP6350SQ-7
DMP6350SQ-7
$0 $/pedaço
FDB86360-F085
FDB86360-F085
$0 $/pedaço
RK7002BMHZGT116

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