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SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

não conforme

SI2308BDS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 156mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 190 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

DMT6012LFV-13
PMPB08R5XNX
PMPB08R5XNX
$0 $/pedaço
DI045N03PT
DI045N03PT
$0 $/pedaço
IXTU8N70X2
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$0 $/pedaço
RSH070P05TB1
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$0 $/pedaço
NTLJS3180PZTBG
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$0 $/pedaço
SI7439DP-T1-E3
SI7439DP-T1-E3
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IRFS7787TRLPBF
AUIRF3205
AUIRF3205
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SI2333CDS-T1-GE3

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