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SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

não conforme

SI2307BDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 380 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IRFS750A
BUK9620-100B,118
DMN6140L-7
DMN6140L-7
$0 $/pedaço
IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV
$0 $/pedaço
IXFA130N10T2
IXFA130N10T2
$0 $/pedaço
PSMN8R0-80YLX
PSMN8R0-80YLX
$0 $/pedaço
NTK3134NT5G
NTK3134NT5G
$0 $/pedaço
NTE2934
NTE2934
$0 $/pedaço

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