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SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23

compliant

SI2304DDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13405 -
6,000 $0.12635 -
15,000 $0.11865 -
30,000 $0.10941 -
75,000 $0.10556 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 235 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

RMP3N90LD
RMP3N90LD
$0 $/pedaço
BSZ018NE2LSATMA1
IRF640NLPBF
SI3476DV-T1-GE3
SQM100N10-10_GE3
IPD60R600C6ATMA1
APT10090SLLG
AUIRL2203N

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