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SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

compliant

SI2301CDS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.10400 -
6,000 $0.09850 -
15,000 $0.09025 -
30,000 $0.08475 -
75,000 $0.07650 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 405 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

BSC009NE2LSATMA1
IPN95R3K7P7ATMA1
IRFH5015TRPBF
FDS3170N7
RM2303
RM2303
$0 $/pedaço
IXFR180N06
IXFR180N06
$0 $/pedaço
FQPF6N80C
FQPF6N80C
$0 $/pedaço
FDMA7670
FDMA7670
$0 $/pedaço

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