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SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

não conforme

SI1965DH-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 12V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.3A
rds em (máx.) @ id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.2nC @ 8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 120pF @ 6V
potência - máx. 1.25W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
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Número da peça relacionada

SIZ256DT-T1-GE3
DMC2053UVTQ-7
BUK9K35-60E,115
SQ4949EY-T1_GE3
HP8M31TB1
HP8M31TB1
$0 $/pedaço
SLA5041
SLA5041
$0 $/pedaço
SQJB46ELP-T1_BE3
BSO330N02KG
DMNH6022SSDQ-13

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