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SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

não conforme

SI1926DL-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 370mA
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 1.4nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 18.5pF @ 30V
potência - máx. 510mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
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Número da peça relacionada

DMP2045UFDB-7
CSD87353Q5D
CSD87353Q5D
$0 $/pedaço
2N7002BKV,115
2N7002BKV,115
$0 $/pedaço
IRF7507TRPBF
PMV280ENEA,215
NTMFD5C680NLT1G
NTMFD5C680NLT1G
$0 $/pedaço
BSO211P
BSO211P
$0 $/pedaço
RM2004NE
RM2004NE
$0 $/pedaço
DMG4511SK4-13

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