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SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

não conforme

SI1922EDH-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.3A
rds em (máx.) @ id, vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2.5nC @ 8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.25W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
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Número da peça relacionada

DMN2024UVT-7
FDG6317NZ
FDG6317NZ
$0 $/pedaço
FDMD8240LET40
FDMD8240LET40
$0 $/pedaço
SIA913ADJ-T1-GE3
PMGD175XNEX
PMGD175XNEX
$0 $/pedaço
ZXMP6A17DN8QTC
DMN61D8LVT-13
SP001017058
CSD88537ND
CSD88537ND
$0 $/pedaço

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