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SI1417EDH-T1-GE3

SI1417EDH-T1-GE3

SI1417EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

não conforme

SI1417EDH-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 450mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

IRFP17N50L
IRFP17N50L
$0 $/pedaço
BUK755R2-40B,127
STB5NK52ZD-1
STB5NK52ZD-1
$0 $/pedaço
IRF3305PBF
STF2NK60Z
STF2NK60Z
$0 $/pedaço
IRF6709S2TR1PBF
IRL3303LPBF

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