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SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6

não conforme

SI1070X-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.18755 -
6,000 $0.17545 -
15,000 $0.16335 -
30,000 $0.15488 -
2999 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.55V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.3 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 385 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 236mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-89 (SOT-563F)
pacote / caixa SOT-563, SOT-666
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Número da peça relacionada

DI040P04PT-AQ
STB80NF03L-04T4
BUK662R4-40C,118
STW32NM50N
STW32NM50N
$0 $/pedaço
FQP8N80C
FQP8N80C
$0 $/pedaço
IXTP44P15T
IXTP44P15T
$0 $/pedaço
NVHL040N120SC1
NVHL040N120SC1
$0 $/pedaço
NVTFS002N04CLTAG
NVTFS002N04CLTAG
$0 $/pedaço

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