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IRFBF30STRLPBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

não conforme

IRFBF30STRLPBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.25225 $1801.8
1,600 $2.11068 -
2,400 $2.01158 -
341 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI2302DDS-T1-BE3
BSC0909NSATMA1
AUIRF1405ZS-7TRL
IPW60R060P7XKSA1
SIHD186N60EF-GE3
STF20N90K5
STF20N90K5
$0 $/pedaço
FQPF19N20C
FQPF19N20C
$0 $/pedaço
RRS040P03FRATB
SQA444CEJW-T1_GE3
SIHP38N60EF-GE3

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