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IRF630PBF

IRF630PBF

IRF630PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

não conforme

IRF630PBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.36000 $1.36
50 $1.10240 $55.12
100 $0.96910 $96.91
500 $0.75928 $379.64
1,000 $0.60673 -
2,500 $0.56859 -
5,000 $0.54189 -
584 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 74W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIJA74DP-T1-GE3
BUK754R3-75C,127
BUK754R3-75C,127
$0 $/pedaço
IXFK34N80
IXFK34N80
$0 $/pedaço
R6035VNX3C16
R6035VNX3C16
$0 $/pedaço
FDS86106
FDS86106
$0 $/pedaço
FDP8447L
FDP8447L
$0 $/pedaço
NVMFS5C456NWFT1G
NVMFS5C456NWFT1G
$0 $/pedaço
FDMC86012
FDMC86012
$0 $/pedaço
IRL540SPBF
IRL540SPBF
$0 $/pedaço

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