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IRF614L

IRF614L

IRF614L

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262

IRF614L Ficha de dados

compliant

IRF614L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
550 $1.03455 $569.0025
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 140 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-262
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IPF06N03LA G
MMFT960T1G
MMFT960T1G
$0 $/pedaço
MCH6445-TL-W
MCH6445-TL-W
$0 $/pedaço
HUF75842S3S
HUF75842S3S
$0 $/pedaço
PI5101-01-LGIZ
IRF1503LPBF
SPU08P06P
SPU08P06P
$0 $/pedaço
FQPF9N08L
FQPF9N08L
$0 $/pedaço

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