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2N6661-E3

2N6661-E3

2N6661-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

compliant

2N6661-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 90 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 860mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 50 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-39
pacote / caixa TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Número da peça relacionada

STB11NM60-1
STB11NM60-1
$0 $/pedaço
IRF9Z34STRL
IRF9Z34STRL
$0 $/pedaço
IRFZ46NL
IRFZ46NL
$0 $/pedaço
SI7384DP-T1-E3
SI7384DP-T1-E3
$0 $/pedaço
NTB90N02
NTB90N02
$0 $/pedaço
NTD4815NH-35G
NTD4815NH-35G
$0 $/pedaço
MTW7N80E
MTW7N80E
$0 $/pedaço

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