Welcome to ichome.com!
| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 750 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 66A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 12V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 29mOhm @ 40A, 12V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 6V @ 10mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 37.8 nC @ 15 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1400 pF @ 400 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 306W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote de dispositivo do fornecedor | TO-247-3 |
| pacote / caixa | TO-247-3 |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.