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TP65H050WS

TP65H050WS

TP65H050WS

Transphorm

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

compliant

TP65H050WS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $16.19000 $16.19
10 $14.72000 $147.2
30 $13.61600 $408.48
120 $12.51200 $1501.44
270 $11.40800 $3080.16
510 $10.67200 $5442.72
250 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 12V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.8V @ 700µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 119W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXFP230N075T2
IXFP230N075T2
$0 $/pedaço
CSD17312Q5
CSD17312Q5
$0 $/pedaço
SPB04N60C3ATMA1
IPD60R380P6ATMA1
APT60M75JVR
IPP16CN10NGXKSA1

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